安森美、格罗方德达成合作，基于后者制程开发新一代氮化镓 (GaN) 功率器件

12 月 19 日消息，安森美半导体昨日宣布与格罗方德半导体 (GF) 签署合作协议，将采用 GF 先进的 200mm（8 英寸）eMode 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 工艺开发并制造先进氮化镓 (GaN) 功率产品。

双方本次合作框架下的首款产品为 650V 器件，计划于 2026 年上半年开始向客户提供样品并快速实现量产。这些 GF 制造的安森美产品将满足 AI 数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的功率需求。