消息称三星电子 1c nm DRAM 内存良率已突破量产盈亏平衡点

1 月 17 日消息，韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（注：即 1c nm）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。

此举被视为一项重要里程碑，因为三星电子 HBM4 内存便基于 1c nm DRAM。DRAM Die 的更高良率有助于三星在 HBM4 上获得更多的利润，进一步提升业绩表现。

报道表示，三星电子在 1c DRAM 上一改近期以良率优先、谨慎推动量产进程的策略，回到了快速进入量产以更积极回应市场动态的传统模式，这有利于从英伟达等重要客户手中赢得订单。

TrendForce 集邦咨询此前表示，在规格要求提升、现有 HBM3E 平台需求旺盛的推动下，HBM 内存的量产时间点最快将于 2026Q1 末到来，三星电子、SK 海力士、美光仍有时间精进产品良率表现。