SK 海力士介绍 AIP 技术：单次蚀刻数百层 3D NAND，有望提效降本

2 月 12 日消息，在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上，SK 海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 介绍了该公司正在探索的一系列先进存储技术，其中就包括 NAND 端的 AIP (All-in-Plug)。

3D NAND 闪存的各层间需要以细长垂直孔道连接，但目前的 HARC 高纵横比接触刻工艺一次仅能加工出 100~200 层深度的通道，因此现有的高堆叠 3D NAND 实际上是将多个堆栈键合在一起的，这种工艺影响了最终的成本、生产效率、良率。

而 AIP 技术允许一次性蚀刻 300 层以上，如果其得到实际应用将可大幅减少蚀刻次数，优化成本表现。SK 海力士正朝在 V11 NAND 中导入这项技术的目标迈进。